Компания Toshiba Memory создала прототип 96-слойной флэш-памяти BiCS FLASH, способной хранить 4 бита данных в каждой ячейке

Компания Toshiba Memory создала прототип 96-слойной флэш-памяти BiCS FLASH, способной хранить 4 бита данных в каждой ячейке
Компания Toshiba Memory создала прототип 96-слойной флэш-памяти BiCS FLASH, способной хранить 4 бита данных в каждой ячейке
Совместно с Western Digital компания Toshiba Memory создала модель 96-слойной флэш-памяти, плотность которой можно повышать путем увеличения ее слоев.
Члены компании Toshiba утверждают, что новые кристаллы самые емкие на рынке – 1,33 Тбит. Упаковав 16 кристаллов 96-слойной памяти QLC 3D NAND, можно получить микросхему рекордно большого объема – 2,66 ТБ. Данная флеш-память будет представлена на мероприятии 2018 Flash Memory Summit, которое пройдет в Санта-Кларе с 6 по 9 августа.
Ознакомительные образцы микросхем разработчикам SSD и контроллеров для SSD выйдут на рынок в первых числах сентября, а появление серийных продуктов с этой памятью ожидается в следующем году.
Нет комментариев. Ваш будет первым!