Samsung к 2022 году освоит 3-нм техпроцесс на базе собственной технологии GAA MBCFET

Samsung к 2022 году освоит 3-нм техпроцесс на базе собственной технологии GAA MBCFET
Samsung к 2022 году освоит 3-нм техпроцесс на базе собственной технологии GAA MBCFET
В рамках проведения мероприятия Foundry Forum компания Samsung поделилась своими планами относительно дальнейшего освоения более тонких технологических процессов при изготовлении чипов.

Уже во второй половине нынешнего года планируется приступить к производству чипов, используя 7-нанометровый технологический процесс Low Power Plus (LPP). При этом будет применяться литография EUV (экстремальная ультрафиолетовая литография). А массовое производство на базе новой технологии запланировано на первую половину 2019 года.
Чипы на базе 5-нанометровой производственной технологии Low Power Early (LPE) обеспечат чрезвычайно низкое энергопотребление. Последние чипы, использующие транзисторы FinFET, будут изготавливаться по нормам 4-нанометрового техпроцесса на базе технологий Low Power Early/Plus. Эти устройства обеспечат прирост производительности, а также получат более компактные размеры. Их производство запланировано на 2019 и 2020 годы, соответственно.
Начиная с 3-нанометрового производственного технологического процесса компания Samsung намерена перейти на использование собственной архитектуры следующего поколения GAA (Gate all-around) MBCFET (multi-bridge-channel FET). Выпуск чипов по 3-нм техпроцессу состоится не ранее 2022 года.
Нет комментариев. Ваш будет первым!